美光流片第四代3D閃存：全新替換柵極架構

2019-10-07 小石頭 中關村在線
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美光宣布，已(yi)經完(wan)成第四代3D NAND閃(shan)存(cun)的首次流片，應用了(le)全新的替(ti)換柵極(RG)架構，并計劃在(zai)明(ming)年投入量產(chan)。

美光第四代3D閃存堆疊了最多128層，繼續使用陣列下CMOS設計思路，不過美光與Intel使用多年的浮動柵極(floating gate)換成了替換柵極(replacement gate)，以縮小尺寸、降低成本、提升性能，升級到下一代制造工藝也更容易。

這種新架構是美光獨自研發的，并沒有(you)Intel的幫助，雙方已經越走(zou)越遠(yuan)。

不(bu)過，完成(cheng)流片只是美(mei)光新(xin)閃存的一(yi)步嘗試，美(mei)光還沒(mei)有計(ji)劃將任何一(yi)條產品線(xian)轉向RG架構，暫時也不(bu)會帶來真正的成(cheng)本降低。

目前，美(mei)光(guang)的首要任(ren)務(wu)是擴(kuo)大(da)96層3D閃存的產(chan)能，明(ming)年將其(qi)應用(yong)到各條產(chan)品線。